霍爾接近開(kāi)關(guān)的主要特性參數(shù)
霍爾接近開(kāi)關(guān)是一種根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的磁場(chǎng)接近開(kāi)關(guān),它的主要特性參數(shù)有以下幾類(lèi)。(1)輸入電阻 霍爾接近開(kāi)關(guān)元件兩激勵(lì)電流端的直流電阻稱為輸入電阻。它的數(shù)值從幾歐到兒百歐,視不同型號(hào)的元件而定。溫度升高,輸入電阻變小,從而使輸入電流變大,終引起霍爾接近開(kāi)關(guān)電勢(shì)變化。為了減少這種影響,好采用恒流源作為激勵(lì)源。(2)輸出電阻R兩個(gè)霍爾接近開(kāi)關(guān)電勢(shì)輸出端之間的電阻稱為輸出電阻,它的數(shù)位與輸入電阻同一數(shù)量級(jí)。它也隨溫度改變順改變。
選擇適當(dāng)?shù)呢?fù)載電阻易與之匹配,可以使由溫度引起的程水電勢(shì)的漂移減至小。(3)大激勵(lì)電流I---霍爾接近開(kāi)關(guān)參數(shù) 由于霍爾接近開(kāi)關(guān)電勢(shì)隨激勵(lì)電流的增大而增大,故在應(yīng)用中總希望選用較大的激勵(lì)電流1M但激勵(lì)電流增大,程爾元件的功耗增大,元件的溫皮升高,從而引起霍爾接近開(kāi)關(guān)屯勢(shì)的溫漂增大,因此每種型號(hào)的幾件均規(guī)定了相應(yīng)的大激勵(lì)電流,它的數(shù)值從幾毫安至幾百毫安。(4)靈敏度K靈敏度KH=EH/IB,它的數(shù)值約為10MV(MA.T)左右。(5)大磁感應(yīng)強(qiáng)度BM---霍爾接近開(kāi)關(guān)參數(shù) 磁感應(yīng)強(qiáng)度超過(guò)BM時(shí),霍爾接近開(kāi)關(guān)電勢(shì)的非線性誤差將明顯增大,特斯撿(T)成幾千高斯(Gs)(1Gs=104T)。(6)個(gè)等位電勢(shì)在額定激勵(lì)電流F,當(dāng)外加磁場(chǎng)為零時(shí)它是由于4個(gè)屯極的幾何尺寸不對(duì)稱引起的誤差。(7)霍爾接近開(kāi)關(guān)屯勢(shì)溫度系數(shù)6M的數(shù)值一般為零點(diǎn)刀霍爾接近開(kāi)關(guān)輸出端之間的開(kāi)路電壓稱為不等位電勢(shì),使用時(shí)多采用電橋法來(lái)補(bǔ)償不等位電勢(shì)引起日在一定磁感應(yīng)強(qiáng)度和激勵(lì)電流的作用下,溫度每變化1攝氏度時(shí),霍爾接近開(kāi)關(guān)電勢(shì)變化的百分?jǐn)?shù)弱為霍爾接近開(kāi)關(guān)電勢(shì)溫度系數(shù),它與霍爾接近開(kāi)關(guān)元件的材料有關(guān)。
上一條: 反射光電開(kāi)關(guān)介紹